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北京飛斯科科技有限公司 - 知名低溫設(shè)備生產(chǎn)商

干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)

干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（注冊(cè)商標(biāo)：CryoM?）僅使用一個(gè)4K脈管制冷機(jī)或GM制冷機(jī)冷卻超導(dǎo)磁體和變溫插件，具有操作簡(jiǎn)單、運(yùn)行成本低和功能擴(kuò)展性強(qiáng)等特點(diǎn)，是科研用戶理想的低溫強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，增強(qiáng)防堵塞型設(shè)計(jì)無(wú)需外置液氮冷阱可連續(xù)工作半年以上。

標(biāo)準(zhǔn)CryoM集成9T螺旋管超導(dǎo)磁體，內(nèi)徑是50mm，靜態(tài)氦氣環(huán)境，變溫范圍：1.5K-400K，標(biāo)配四象限雙極性超導(dǎo)電源、四通道高精度控溫儀、八通道溫度指示器。專利的冷頭懸浮減震和自恒壓循環(huán)氣路使得振動(dòng)更小，降溫更快，溫度穩(wěn)定性更好，標(biāo)準(zhǔn)電學(xué)測(cè)試樣品桿集成多針真空貫穿、16pin puck樣品托、低溫雙絞測(cè)試線和低磁阻校準(zhǔn)型溫度計(jì)(校準(zhǔn)范圍：1K-325K)?？蛇x配12T/14T/16T螺旋管超導(dǎo)磁體、帶光學(xué)窗的7T分離線圈對(duì)超導(dǎo)磁體、矢量超導(dǎo)磁體(9T/2T/2T)、NMR高均勻磁體等，可選配≤1.3K的更低最低溫度。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體-1.png

基于GM制冷機(jī)的的干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（左）；基于脈管制冷機(jī)干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（右）

9T螺旋管變溫超導(dǎo)磁體典型技術(shù)參數(shù)

冷頭類型

GM制冷機(jī)或閥體分離脈管制冷機(jī)

磁場(chǎng)強(qiáng)度

 ±9T 

樣品管內(nèi)徑

50mm（選配：30mm和60mm）

典型勵(lì)磁時(shí)間

 ≤20分鐘

初始降溫時(shí)間

≤14小時(shí)(采用閥體分離脈管機(jī))

≤17小時(shí)(采用GM制冷機(jī))

溫度穩(wěn)定性

 ±10mK(1.5K-20K), 

 ±15mK(20K-300K),

 ±20mK(300K-400K)

變溫范圍

1.5K-400K

樣品環(huán)境

 靜態(tài)氦氣

換樣后再降溫時(shí)間

<45分鐘(初始VTI處于低溫)；<100分鐘(初始VTI和樣品桿處于室溫)

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體-2.png

基于脈管機(jī)的帶光學(xué)窗的干式7T變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（左）；基于脈管制冷機(jī)的變溫9/2/2三軸超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（右） 

選  配

磁體

樣品桿

插件

組件

12T/14T/16T螺旋管超導(dǎo)磁體

單軸/雙軸樣品桿

稀釋制冷機(jī)插件

超低震動(dòng)組件

帶水平光學(xué)窗的分離線圈對(duì)超導(dǎo)磁體

光學(xué)樣品桿

AC磁化率插件

多針/SMA/BNC/光纖等真空貫穿

三軸矢量磁體/高均勻磁體

He-3插件

熱學(xué)測(cè)試插件

雙絞/柔性同軸/半鋼纜/三同軸/光纖


CryoM提供多種選件，如單軸/雙軸樣品桿、光學(xué)樣品桿、He-3插件/稀釋制冷機(jī)插件、磁化率插件/熱學(xué)測(cè)試插件、更低溫度(≤1.3K)、超低震動(dòng)組件(如冷頭懸浮減震、減震沙箱等)和接線盒等?；陂y體分離脈管機(jī)和冷頭懸浮減震設(shè)計(jì)的超低震動(dòng)干式變溫超導(dǎo)磁體的震動(dòng)水平<100nm，特別適合進(jìn)行低溫磁光實(shí)驗(yàn)。

此外，我們提供基于干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的低溫強(qiáng)磁場(chǎng)物性測(cè)試系統(tǒng)(TKMS)，集成低溫強(qiáng)磁場(chǎng)下的電磁輸運(yùn)、Hall測(cè)試、磁化率測(cè)試和熱輸運(yùn)測(cè)試等功能，并提供多路樣品測(cè)試模塊，允許同時(shí)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體-3.png

典型低溫強(qiáng)磁場(chǎng)物性測(cè)試系統(tǒng)（TKMS）

He-3插件匹配頂部裝卸型1.5K制冷機(jī)（Acryo-1.5K）和干式變溫超導(dǎo)磁體（CryoM），內(nèi)置低溫吸附泵和密封He-3氣路，單發(fā)工作模式，空載最低溫度<270mK，在空載情況下最低溫度保持時(shí)間大于60小時(shí)，在350mK時(shí)制冷量大于100uW。標(biāo)準(zhǔn)he-3插件樣品環(huán)境是真空，可選配交換He-3氣體型和更長(zhǎng)保持時(shí)間。典型應(yīng)用包括電磁輸運(yùn)測(cè)試、量子霍耳效應(yīng)、超導(dǎo)器件測(cè)試、Squid測(cè)試、高壓（DAC）、熱輸運(yùn)測(cè)試等。


He-3插件典型技術(shù)參數(shù)

冷源

Acryo-1.5K或CryoM低溫系統(tǒng)

運(yùn)行方式

單發(fā)

最低溫度

≤270mK（備注：空載無(wú)外加熱負(fù)載）

樣品環(huán)境

真空（選配交換氣體）

最低溫度下保持時(shí)間

≥60小時(shí)（備注： 使用2.5L NTP He-3）


飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體-4.png

基于脈管制冷機(jī)集成He-3插件的干式變溫超導(dǎo)磁體系統(tǒng)（左圖）；典型He-3插件（右圖）；

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體-5.png

典型He-3插件制冷量與溫度關(guān)系

AC磁化率樣品桿

 

AC磁化率模塊典型技術(shù)參數(shù)

AC 磁化率[χ]

靈敏度

＜1x10-8   emu@10 kHz

相位精度

±0.5°

驅(qū)動(dòng)參數(shù)

幅度

0.01 to 16 Oe （峰值）

頻率范圍

10 Hz to 10 kHz

線圈組尺寸

內(nèi)徑

8 mm

工作范圍

溫度：1.5K to 325 K；磁場(chǎng)：0 to 16T（靈敏度條件@ AC激勵(lì)10 mOe @10 kHz）

備注

對(duì)應(yīng)零場(chǎng)下的測(cè)試參數(shù)


插件示例

安裝案例

1、該系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)作為冷源，并采用冷頭懸浮減振專利技術(shù)，采用頂部裝卸型設(shè)計(jì)，提供靜態(tài)交換氦氣環(huán)境，樣品管內(nèi)徑50mm，

變溫范圍：<1.5K-300K，磁場(chǎng)范圍：±9T，集成物性測(cè)試功能模塊，允許同時(shí)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體案例一.png


2、采用閥體分離低振動(dòng)脈管制冷機(jī)作為冷源，并采用冷頭懸浮減震專利技術(shù)，標(biāo)稱振動(dòng)水平小于100nm，該系統(tǒng)采用頂部裝卸型設(shè)計(jì)，

提供靜態(tài)交換氦氣環(huán)境，樣品管內(nèi)徑50mm，最低溫度：<1.35K，最高磁體強(qiáng)度為9T，真空型樣品桿用于熱學(xué)實(shí)驗(yàn)。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體案例二.png


3、采用閥體分離脈管制冷機(jī)作為冷源，并采用冷頭懸浮減震專利技術(shù)，采用頂部裝卸型設(shè)計(jì)，振動(dòng)水平:100nm，

提供靜態(tài)交換氦氣環(huán)境，樣品管內(nèi)徑50mm，最低溫度：<1.5K，最高磁體強(qiáng)度為12T。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體案例三.png


4、該強(qiáng)磁場(chǎng)低溫系統(tǒng)提供的樣品管內(nèi)徑：50.5mm，變溫范圍：1.5K-400K，磁場(chǎng)范圍：±9T，

集成物性測(cè)試功能模塊，允許同時(shí)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體案例四.png


 5、采用閥體分離低振動(dòng)脈管制冷機(jī)作為冷源并采用冷頭懸浮減震專利技術(shù)，最低溫度小于1.5K，

最高磁體強(qiáng)度為9T，不僅用于電磁輸運(yùn)測(cè)試，還用于MOKE等磁光測(cè)試。

飛斯科CryoM超導(dǎo)磁體案例五.png

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